|
|
|
G.652
|
ช. 655
|
50 / 125μm
|
62.5 / 125 ไมครอน
|
|
การลดทอน (+ 20 ℃)
|
@ 850 นาโนเมตร
|
|
|
≤3.0dB / กม
|
≤3.0dB / กม
|
|
@ 1300 นาโนเมตร
|
|
|
≤1.0dB / กม
|
≤1.0dB / กม
|
|
|
@ 1310 นาโนเมตร
|
≤0.36dB / กม
|
≤0.40dB / กม
|
|
|
|
|
@ 1550 นาโนเมตร
|
≤0.22dB / กม
|
≤0.23dB / กม
|
|
|
|
|
แบนด์วิดท์ (คลาส A)
|
@ 850 นาโนเมตร
|
|
|
≥500MHz·กม
|
≥200MHz·กม
|
|
@ 1300 นาโนเมตร
|
|
|
≥1000MHz·กม
|
≥600MHz·กม
|
|
|
รูรับแสงตัวเลข
|
|
|
0.200 ± 0.015 เอ็นเอ
|
0.275 ± 0.15NA
|
|
|
ความยาวของคลื่นตัดสายเคเบิล
|
≤1260นาโนเมตร
|
≤1480นาโนเมตร
|
|
|
|
|
จำนวนเส้นใย
|
เส้นผ่านศูนย์กลางของสายเคเบิล (มม.)
|
น้ำหนักที่กำหนด (KGS)
|
โหลดแรงดึงที่อนุญาต (มม.)
|
ความต้านทานการบดที่อนุญาต (N / 100m)
|
||
|
ช่วงเวลาสั้น ๆ
|
ระยะยาว
|
ช่วงเวลาสั้น ๆ
|
ระยะยาว
|
|||
|
2-12
|
6.0-9.0
|
60
|
1,500
|
600
|
1,500
|
600
|
